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大阪府大院工 | 論文
- 1I24 ポリシランから SiC セラミック材料の作製
- 27pZE-3 高エネルギーイオン照射した酸化物超伝導体における欠陥生成過程
- PA04 紫外光誘起グレーティングを用いた液晶の配向制御(物理・物性)
- 12aTM-1 Pb 正方格子ネットワークの超伝導と磁束分布(超伝導, 領域 6)
- 27aYD-8 Pb蜂の巣格子の超伝導と磁束分布(超伝導)(領域6)
- 20aTK-4 超伝導微細孔格子の超伝導転移温度の理論
- I-III-VI_2 族カルコパイライト化合物の固相成長
- 固相反応によるCuInS_2の作製と評価
- 29aPS-84 (EDTTFVO)_2・FeBr_4 の強磁性
- 30pXD-3 MgB_2 中性子検出器 I
- 18pPSB-12 1.5K冷凍機を用いた磁気トルク計の開発
- 24pWZ-8 走査型パルスレーザー励起による超伝導検出器の位置依存性III(24pWZ X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 3C05 色素添加高分子分散液晶の発光の gain narrowing(2004年日本液晶学会討論会)
- 29pWA-11 等方相中のスメクティックAドメインの電界印加効果(ソフトマター(液晶・高分子・合金など))(領域11)
- 29pWA-10 等方相中のスメクティックCドメインのダイレクタ分布(ソフトマター(液晶・高分子・合金など))(領域11)
- PA32 液晶性高分子poly(9,9-dioctylfluorene)の偏光に依存した光伝導特性(物理・物性)
- PA24 等方相中のスメクティックAフィラメントの周期的座屈現象II(物理・物性)
- PA23 等方相中のスメクティックA液晶ドメインの電界印加効果(物理・物性)
- 19aYA-13 電子・陽子線による金箔の照射誘起可逆変形(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- YBa_2Cu_3O_薄膜における輸送特性への splayed defects の効果(2)