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大阪府大総合科学 | 論文
- 15a-R-1 LaNi、CeNiの電子構造とフェルミ面
- 28a-M-17 NdIn_3の電子構造とフェルミ面
- 28a-ZJ-7 NdB_6の電子状態とフェルミ面
- 28p-P-6 RFe_4P_(R=La, Nd)のドハース・ファンアルフェン効果
- 31 植物の光屈性分子の化学及び生物学(口頭発表の部)
- 28p-PS-9 酸化物高温超伝導体の電子状態
- 30a-Q-3 人工超格子磁性体の電子構造
- 3a-BC-4 層状人工格子の磁気モーメント分布の計算
- 24pPSB-24 超薄膜における電子の自己閉じ込め状態
- 30a-APS-30 磁性薄膜における表面格子緩和
- 4a-B4-8 FCC(100)表面を持つ合金の相転移
- 3a-BJ-10 Cr薄膜の磁性
- 4p-U-7 半導体中の深い不純物準位の"d"の効果
- 26p-M-5 Ce_3Pt_3Sb_4, Ce_3Pt_3Bi_4の電子構造
- 5a-PS-34 金と銅の表面のちがい
- 32 矮性エンドウの矮化物質A2αおよびβの成長抑制効果
- 27p-Q-3 La(Sb,Bi),Ce(Sb,Bi)のドハース・ファンアルフェン効果II
- 1a-SH-8 La(Sb, Bi), Ce(Sb, Bi)のドハース・ファンアルフェン効果
- XII p-f混成効果と異常磁性"理論と実験の現状と問題点"(価数揺動状態をめぐる理論の現状,科研費研究会報告)
- 27a-Q-9 Ceプニクタイトのf-f相互作用