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名大VBL | 論文
- 14aYC-1 希釈磁性半導体 GaAs : Er, O 及び Zn 共添加 GaAs : Er, O, Zn の X-band ESR 測定(磁性半導体, 領域 4)
- 23aXB-6 トポロジカル超伝導体の電子状態(23aXB 超伝導,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- 24aXP-8 空間反転対称性が破れた系における電荷揺らぎによる超伝導(24aXP 理論(銅酸化物・超伝導理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aRH-8 LnFeAs(O,F)(Ln:ランタノイド)のLnサイト固溶効果(鉄系超伝導体7(圧力効果・構造など),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 28pXQ-9 STMで観たZnSe/BeTeタイプII多重量子井戸の界面構造と発光(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
- 22pPSA-65 (CdS/ZnSe)/BeMnTe タイプ II 多重量子井戸の磁場下における発光
- 31aYH-3 ZnSe/BeMnTe タイプ II 多重量子井戸の磁場下における発光
- 23pWH-4 MBE法によるLnFeAs(O,F)超伝導薄膜(Ln=La,Nd)の成長と物性評価(23pWH 鉄砒素系超伝導(伝道・磁化・熱),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- フェイスダウンOMVPE法により作製したInP上のErP成長形態の基板面方位依存性 : エピキタシャル成長III
- 24aZ-2 紫外光電子分光による有機物/金属界面の電子準位の接続
- 28pTA-1 半導体表面における光誘起構造変化はバンドベンディングに依存するか?
- 25pTA-10 InP(110)1×1表面における光誘起構造変化の形態
- 25aT-8 Si(111)2×1表面の光励起による構造変化II
- ケルビン法でみた有機/金属界面の電子構造 : バンドの曲がりと巨大表面電位発生
- 有機/金属界面、有機/有機界面の電子分光
- 25pZL-13 Na_xCoO_2の超伝導におけるクーロン相互作用による対破壊効果とギャップ異方性(25pZL Co系(超伝導),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 30aUF-11 Na_xCoO_2・yH_2Oの光学フォノンによる超伝導発現機構 : シェアフォノンによる軌道間遷移の効果(30aUF Co系・超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29pXA-8 三角格子多バンドハバード模型によるNa_xCoO_2の超伝導(渦糸理論・コバルト系超伝導理論)(領域8)
- 21aTM-10 軌道縮退のある三角格子 d-p 模型による CoO_2 面の電子状態
- 有機エレクトロニクス素子の薄膜・界面における帯電・分極現象
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