名古屋大学大学院・理 | 論文

8p-H-6 フェムト秒非共鳴イオン化分光による化合物半導体表面からのレーザー誘起非金属放出原子の高感度検出
25pY-3 InP(110)-(1x1)表面における光誘起構造変化と脱離 : トンネル顕微鏡による観察 II
25pY-2 InP(110)-(1x1)表面における光誘起構造変化と脱離 : フェムト秒非共鳴イオン化分光法 II
31p-Q-4 InP(110)-(1x1)表面における光誘起構造変化と脱離 : フェムト秒非共鳴イオン化分光
31a-S-6 InP(110)-(1x1)表面における光誘起構造変化と脱離 : トンネル顕微鏡による観察