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原子力機構先端基礎セ | 論文
- Xeイオンを照射した高密度MgB_2バルク体の磁化特性
- 23pRH-1 InドープZnOのイオン照射効果(23pRH 放射線物理(イオンビーム照射効果・阻止能),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 2p-YG-7 低温下でLiイオン照射したβ-LiAlの抵抗率その場測定(I)
- 28aTA-8 パルスレーザーアブレーション初期過程のin-situ高速度観察(28aTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 19pYR-6 薄膜を使った炭素クラスターイオンの構造解析(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27pXP-9 高速炭素クラスターイオンの固体への照射効果(放射線物理)(領域1)
- 31a-M-9 金属間化合物β-LiAl中のトリチウムの拡散と格子欠陥構造
- 31a-P-6 β-LiAlの格子欠陥構造とLi拡散機構
- 領域1「エキゾチックな粒子ビームと固体・表面との相互作用」(第64回年次大会シンポジウムの報告)
- 5p-PS-22 Bi_2Sr_2Ca_Y_xCu_2O_yの超伝導-スピングラス転移特性
- 5p-PS-21 (La_Sr_x)_2CuO_の反強磁性-超伝導転移近傍の静帯磁率測定
- 12pSB-1 Introduction(12pSB New direction in structure studies of unstable nuclei probed by gamma-ray spectroscopy)
- 中性子を照射したβ-LiAl中のLi原子空孔の規則-不規則変態
- 30a-ZN-1 β-LiAlの電気低効率に対する格子欠陥の影響(II)
- 3a-Z-8 LiAlの電気抵抗率に対する格子欠陥の影響
- 2p-TC-5 Bi系超伝導体の選択的な置換による物性変化
- 5a-Y-11 Bi系超伝導体2-2-1-2相、2-2-2-3相の物性
- 28p-ZA-14 金微粒子の照射損傷(2)
- 30p-R-8 重イオン照射したBi系超伝導体における交流帯磁率測定
- 7p-M-11 3.5GeV Xeイオンを照射したBi系超伝導体のピニング特性