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千葉大院・自然 | 論文
- 27aYG-13 ホットウォール法によるGa_2Se_3薄膜単結晶の作成
- 19aRC-4 電気光学効果で見る電位分布とブレークダウン線幅依存性(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXL-10 光ファイバーを用いたポッケルス効果測定による量子ホール状態の電位分布イメージング(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pPSA-20 希薄磁性量子井戸 CdTe/CdMnTe での荷電励起子のスピン選択四光波混合
- 28pYF-4 強磁場四光波混合測定による励起子及び励起子分子の振る舞い II
- 25pPSA-9 スポット光励起下の量子ホール状態の臨界電流測定による電流分布イメージング(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pYC-6 GaAs/AlGaAs系の磁気キャパシタンス測定によるポテンシャル揺らぎの評価(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- O-226 日高衝突帯超深部探査(Super-deep Hidaka2000)速報(21. テクトニクス,口頭発表,一般発表)
- 7pPSA-53 CdTe ナノ微粒子の特異な光学スベクトル(領域5)
- 7pPSA-30 強磁場四光波混合測定による励起子及び励起子分子の振る舞いII(領域5)
- 24aYE-11 強磁場四光波混合測定による励起子及び励起子分子の振る舞い(24aYE 励起子・ポラトリン,領域5(光物性分野))
- 24pSA-7 空孔半導体In_2Se_3の作製とその光物性(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
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