スポンサーリンク
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科 | 論文
- レ-ザ-による事故とその対策 (特集「レ-ザ-の安全な使用」)
- 704 AFMを用いたヒト染色体構造の解析と操作
- 1022 走査型プローブ顕微鏡を用いたDNA-HMG2複合体の観察
- 直線偏光Nd:YAGレーザーによる規則性配列微細Siドットの形成(半導体Si及び関連材料・評価)
- Periodic Grain-Boundary Formation in a Poly-Si Thin Film Crystallized by Linearly Polarized Nd: YAG Pulse Laser with an Oblique Incident Angle
- Analysis on Operation of a F-FET Memory With an Intermediate Electrode
- Increase of Dielectric Constant of an Epitaxial (100) Yttria-Stabilized Zirconia Film on (100) Si Substrate Deposited by Reactive Sputtering in the Metallic Mode : Surfaces, Interfaces, and Films
- Alignment of Grain Boundary in a Si film Crystallized by a Linearly Polarized Laser Beam on a Glass Substrate
- HF+ヒドラジン溶液処理をしたエピタキシャル(100)ZrN/(100)Si構造上への(100)Ir薄膜の作製
- 高コヒーレント直線偏光パルスレーザービームによる結晶化Si薄膜の粒界位置制御
- Low Temperature Heteroepitaxial Growth of a New Phase Lead Zirconate Titanate Film on Si Substrate with an Epitaxial(ZrO_2)_(Y_2O_3)_x Buffer Layer
- エピタキシャルZrN膜/(100)Si基板上に形成したPZT薄膜の強誘電体特性
- エピタキシャルZrN薄膜/(100)Si基板上に形成したPZT薄膜の強誘電体特性
- (100)YSZ/(100)Si基板構造上にスパッタ法により形成したヘテロエピタキシャル(100)Ir及び(001)PZT薄膜の膜質特性
- (100)YSZ/(100)Si基板構造上にスパッタ法により形成したヘテロエピタキシャル(100)Ir及び(001)PZT薄膜の膜質特性
- スパッタ法によるシリコン基板上へのPb(Zr,Ti)O_3(PZT)薄膜のヘテロエピタキシャル成長
- Material Properties of Heteroepitaxial Ir and Pb (Zr_xTi_) O_3 Films on (100) (ZrO_2)_(Y_2O_3)_x/(100) Si Structure Prepared by Sputtering
- 反応性スパッタ法によるSi基板上へのY組成制御YSZ薄膜のヘテロエピタキシャル成長
- Characterization of Pb(Zr_xTi_)O_3 Thin Film on Silicon Substrate with Heteroepitaxial Yttria-Stabilized Zirconia (YSZ) Buffer Layer
- パルス波レーザー光と着色微粒子の併用による細胞内物質導入