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ルーセント・ベル研 | 論文
- 25aWQ-5 GaAs量子井戸の発光励起スペクトルにおける共鳴レーリー散乱の寄与(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25aWQ-3 点励起Hakki-Paoli法による半導体量子井戸レーザーの導波路モード評価(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 20aYK-4 ドープ量子井戸におけるKennard-Stepanov関係式(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pWJ-10 電流注入7nm×7nmT型量子細線レーザーの作製と評価(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-2 T型量子細線レーザーでのキャリア密度増加にともなう光学利得の増大と抑制効果(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-3 光励起及び電流注入によるT型量子細線の利得スペクトル測定(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-4 5nmGaAs/AlAs量子井戸の界面平坦化と発光線幅(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pPSB-54 発光励起スペクトル測定法で見るドープ量子井戸の光放出と光吸収の関係(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 18pTA-3 発光と発光励起スペクトルから見積もる低次元電子系のキャリア温度(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aXL-10 Arm-arm電流注入型T型量子細線レーザーの低閾値発振特性(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aXL-12 Arm-Stem電流注入型T型量子細線レーザーの発振特性(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aXL-11 Arm-arm電流注入型T型量子細線レーザーの光学評価と電流注入発振機構の解明(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pRE-3 アクセプターを注入したn型ドープ量子細線の発光における正孔の局在効果(27pRE 励起子・ポラリトン・高密度励起現象・局在中心・新物質,領域5(光物性))
- 20pPSA-21 n型にドープしたT型量子細線におけるPLEスペクトルの温度依存性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20aXB-5 n型にドープしたT型量子細線におけるPLEスペクトルの電子濃度依存性(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 19aYC-1 5mmスケールAlAs/GaAs T型量子細線の発光及び発光励起スペクトルII(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aPS-103 5nmスケールAlAs/GaAs T型量子細線の発光及び発光励起スペクトル(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27pXC-3 電流注入型T型量子細線レーザーの作製と評価(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aZC-1 T型量子細線中の一次元電子正孔系の時間分解発光測定(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 14pXC-14 T 型量子細線における利得吸収スペクトルの温度依存性(励起子・ポラリトン, 領域 5)
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