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パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター | 論文
- CT-2-5 GaNパワーデバイスの最新技術とその応用(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
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