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ソニー研 | 論文
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- CdS:Agのフォトルミネッセンス : イオン結晶・光物性
- 溶融法によるCdS単結晶の生長とその性質 : 結晶成長
- Siの中の不純物のESR(III)(半導体(スピンレゾナンス))
- PとAsを含むSiのESR (II) : 半導体
- 5a-L-2 PとAsを含むSiのESR
- 1)MIC型衛星用SHF受信機(無線技術研究会(第67回))
- PbTeの振動的磁気抵抗 : 低温における半導体の電気的性質シンポジウム
- 8p-M-7 極低温に於るPbTeの電気的性質
- 19L-3 PbTeの電気的性質
- 2a-C-11 ZnSe-ZnTe heterojunctionの光起電力効果
- ZnTeのフォトルミネッセンス : イオン結晶・光物性
- ZnTeのルミネッセンス : 光物性・イオン結晶
- ZnTeの赤外吸収(II) : イオン結晶・光物性
- P型半導体の赤外吸収 : イオン結晶・光物性
- ZnTeにおけるDiode発光(II) : 半導体 : 表面
- ZnTeの赤外吸収 : 半導体 : 表面
- マイクロ波におけるPbTeの誘電率(半導体(マイクロ波))
- 江崎さんとエサキダイオード
- R.K. Willardson and A.C. Beer編: Semiconductors and Semimetals, vol. 2, Academic Press, New York and London, 1966, 432頁, 15×23cm, 6,600円.