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いわき明星大科技 | 論文
- 20pHS-1 (Rb_Cs_x)_2CdBr_4の相転移(20pHS 誘電体(硫安・TGS・水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pHS-2 (NH_4)_3K(SO_4)_2の結晶育成と相転移(20pHS 誘電体(硫安・TGS・水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28aRB-7 Cs_2CdI_4のα-β相転移の時間依存性(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28aRB-6 窒素ガス中で育成したRb_2CdI_4のチョクラルスキー法結晶の相転移(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Tl2ZnI4群強誘電体(続)特にα-β相転移と過冷却性について
- 21pVE-10 強誘電体α-Rb_2CdI_4のチョクラルスキー結晶の誘電性と熱膨張(21pVE 誘電体(硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pVE-9 チョクラルスキー法によるRb_2CdI_4のα結晶とβ結晶の育成と誘電性(21pVE 誘電体(硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28aYJ-4 NH_4B ZnY_4(B=Cs or Rb, Y=Cl or Br)の結晶育成と相転移(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28aYJ-3 Cs_2MnBr_4のα-β相転移の時間依存性(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28aYJ-2 強誘電体K_2ZnI_4のチョクラルスキー法による結晶育成(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 29aXJ-2 アモルファスチタン酸ビスマスの構造解析
- 29a-YK-11 Ba_2NaNb_Ta_O_系の結晶育成の試み
- 2a-YF-11 A_2BTa_5O_(A=Ba, Sr, Ca, B=Na, K)の強誘電性の吟味
- 2a-YF-9 ビスマス層状酸化物の誘電特性
- 28a-YR-4 A_2BTa_5O_15(A=Ba, Sr, Ca, B=Na, K)の誘電特性
- 1p-A-9 DBP混晶系の誘電性
- 1a-A-13 Li_2Ge_7_(LGO) の圧電効果II
- 25a-ZC-12 DSP混晶系の圧電効果
- 24pYR-11 チタン酸ビスマスの作成法による結晶構造の変化(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 29pXK-9 X線トポグラフィを用いたチタン酸バリウムのドメイン観察(誘電体)(領域10)
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