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(株)リコー研究開発本部 東北研究所 | 論文

• MOCVD法によるAl混晶上の高品質III-VN混晶(GaInNAs,GaInNP)成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• MOCVD法によるAl混晶上の高品質III-VN混晶(GaInNAs,GaInNP)成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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• プリンタ用780nm帯40ch光書き込みVCSELアレイの開発
• プリンタ用780nm帯40ch光書き込みVCSELアレイ
• プリンタ用780nm帯40ch光書き込みVCSELアレイ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• プリンタ用780nm帯40ch光書き込みVCSELアレイ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• プリンタ用780nm帯40ch光書き込みVCSELアレイ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• プリンタ用780nm帯40ch光書き込みVCSELアレイ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• プリンタ用780nm帯40ch光書き込みVCSELアレイ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• プリンタ用780nm帯40ch光書き込みVCSELアレイ
• プリンタ用780nm帯40ch光書き込みVCSELアレイ
• プリンタ用780nm帯40ch光書き込みVCSELアレイ
• CI-2-3 レーザプリンタ用780nm帯40ch-VCSELアレイ(CI-2.基礎研究から実用化に至る死の谷越えの視点からみた光デバイスの課題,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
• AS-2-10 チップスケール原子発振器(CSAC)用894.6nm VCSEL(AS-2.超小型量子発振器・センサ,シンポジウムセッション)

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