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(株)フジクラ | 論文
- C-3-53 リング構造を用いた可変分散補償ファイバグレーティング
- C-3-51 エキシマランプ (λ=172nm) を用いた分散補償ファイバグレーティング
- C-3-115 二重リング構造による二次分散可変 FBG
- 二重リング構造を用いた分散量可変ファイバグレーティング
- 二重リング構造を用いた分散量可変ファイバグレーティング
- 二重リング構造を用いた分散量可変ファイバグレーティング
- C-3-38 二重リング構造による可変分散補償FBG
- 新入社員のための高分子基礎講座に参加して
- IBAD中間層における線速依存性および高速化基礎検討
- IBAD-PLDプロセスにおける高IcY系線材作製方法の検討
- IBAD法による長尺配向GZO中間層の作成
- IBAD/PLD法による200m長高特性Y系線材の開発
- IBAD法による長尺配向中間層の作製
- IBAD/PLD法によるYBCO線材の曲げ歪特性
- IBAD/PLD法による100m級高IcY系線材の作製
- C-3-30 分散補償ファイバグレーティングの群遅延時間リップル抑制
- C-12-18 WLP技術を用いた低位相雑音なCMOS電圧制御発振器(C-12. 集積回路BC(クロック・発振器),一般セッション)
- C-12-35 WLCSP技術を用いた高FoM電圧制御発振器の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-28 WLCSP技術を用いた可変電力増幅器の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-27 WLCSP技術を用いた広帯域低雑音増幅器の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)