ANDERSON Brian | Research Center for Information Sciense and Engineering, Austrailan National University
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概要
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論文 | ランダム
- 31p-YF-7 Si(111)7×7表面におけるレーザー誘起原子放出機構
- 8p-H-10 Si(111)7x7表面における紫外パルスレーザーによるSi原子放出
- 8p-H-6 フェムト秒非共鳴イオン化分光による化合物半導体表面からのレーザー誘起非金属放出原子の高感度検出
- 28a-F-1 フェムト秒レーザーを用いたSi(111)7x7表面での光誘起原子放出機構III
- 29p-YE-5 表画における光誘起構造変化 : 電子励起・構造変化・原子放出