大谷 良行 | 古河スカイ株式会社 技術研究所 第二研究部 界面制御研究室
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概要
論文 | ランダム
- 30aPS-20 Ag表面に物理吸着した水素分子の光脱離 : 並進エネルギー分布の同位体依存性(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- レーザー共鳴分光を用いた水素分子の表面ダイナミクス (新しい水素の科学--新手法が明かす水素分布・ダイナミクス・電子状態) -- (水素のダイナミクスと電子状態)
- 21aPS-91 磁性不純物を含むAg表面でのオルソ・パラ転換機構の解明(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-67 オルソ-パラ転換における磁場効果解明に向けた水素分子のレーザー誘起蛍光法の開発(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-34 Si(001)表面上における鉄シリサイド薄膜の初期成長過程(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))