Tan Hong | Department of Physics, and Institute of Low-dimensional Carbons and Device Physics, Shanghai University, Shanghai 200444, P. R. China.
スポンサーリンク
概要
- Tan Hongの詳細を見る
- 同名の論文著者
- Department of Physics, and Institute of Low-dimensional Carbons and Device Physics, Shanghai University, Shanghai 200444, P. R. China.の論文著者
論文 | ランダム
- ゲルマニウムのγ線照射効果 : XIV. 格子欠陥
- 20C-27 重陽子照射によるGeの腐食孔
- 20C-26 重陽子照射によるGeの電気的性貭
- 17K-18 重陽子照射を行つたゲルマニウムの性質
- Geのlifetimeの温度依存性 : 半導体(実験)