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稲冨 恵子 | 順天堂大学内科学教室
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GaAsのプラズマ陽極酸化膜--MOSダイオ-ド及びIGFETの電気的特性
DLTS法によるSi-MOSダイオ-ドのSi中のトラップ及び界面準位の測定
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