田中 武司 | 日新電機（株）変圧器事業部
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概要
論文 | ランダム
- InGaNの2種の柱面からの発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- InGaN微小バルク結晶からの電子線励起発光の特徴(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 硫化物からのInGaN結晶の合成とその発光特性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))