ZHENG Meng | the Hitachi (China) Research & Development Corporation

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論文 | ランダム

• AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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