大熊 武 | (公財)国際超電導産業技術研究センター 超電導工学研究所電力機器研究開発部
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概要
論文 | ランダム
- 28a-K-8 HVPE法によるGaNの選択成長
- 27a-ZB-5 HVPE法によるGaAs基板上への低温成長GaNバッファ層の結晶性とその影響
- 28p-ZH-3 GaAs(001)基板上にHVPE/GSMBEハイブリッド成長させたGaN層の透過電子顕微鏡観察
- Relaxation Mechanism of Thermal Stresses in the Heterostructure of GaN Grown on Sapphire by Vapor Phase Epitaxy
- 第3回研究発表会から