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福富 大介 | 大日本印刷(株)C&I事業部IT開発本部第4開発室
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論文 | ランダム
回転ブリッジマン法を用いた高品質InGaAs混晶の結晶成長
InGaSb半導体育成における重力の影響に関する数値解析
落下塔利用の微小重力環境下におけるInGaSb突起物形成過程のその場観察
酸化物高温超伝導の結晶成長その場観察
落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
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