佐々木 陽三 | 日本電気研究所

スポンサーリンク

概要

• 佐々木 陽三の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 日本電気研究所の論文著者

日本電気研究所 | 論文

• 8p-M-11 シリコンカーバイドのPN接合
• SiCの不純物効果 : 半導体
• 29C7 Germanium Grown P-N Junctionの光電効果(29C 半導体)
• Nm-Znフェライトの磁気余効 : 磁性
• 8p-G-6 Mn-Zn系フェライトの電気抵抗と高周波損失

もっと見る

スポンサーリンク