Murakami Kenji | Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432, Japan

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Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432, Japan | 論文

• Electrical Properties of Melt-Epitaxy-Grown InAs0.04Sb0.96 Layers with Cutoff Wavelength of 12 μm

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