Ohishi Masato | SONY Semiconductor Kyusyu, Kokubu-shi, Kagoshima 899-4393, Japan

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SONY Semiconductor Kyusyu, Kokubu-shi, Kagoshima 899-4393, Japan | 論文

• 94-GHz $f_{T}$, 0.4-dB $\mathit{NF}_{\text{min}}$ HBT with Optimized Si Cap and Extrinsic Base Using Blanket SiGeC Epitaxy

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