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長嶋 史明 | 京都大学大学院工学研究科・博士課程
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30a-Q-4 光照射MOVPE法で作成されたSbドープZnSeの深い準位の評価
28p-P3-22 Si-Ge積層薄膜の熱電特性
28p-P3-13 SiC/Si/Ni系焼結半導体の熱電特性
28a-X-8 劣化したZnOバリスタ中の界面準位のSADLTS法による評価
30a-ZF-2 多孔質シリコンの境界面反射による光音響スペクトル
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