KIM Hyungjin | Inter-university Semiconductor Research Center and Department of Electrical Engineering, Seoul National University
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概要
- 同名の論文著者
- Inter-university Semiconductor Research Center and Department of Electrical Engineering, Seoul National Universityの論文著者
論文 | ランダム
- 日本物理学会編: 半導体超格子の物理と応用, 培風館, 東京, 1984, viii+310ページ, 21.5×15.5cm, 3,900円.
- 創立100年記念事業始末記 : 創立100年記念事業実行委員会から(日本物理学会創立100年記念特別講演)
- 31p-CA-13 MOS 反転層における強磁場下ホットエレクトロン効果
- 11p-L-7 強磁性BCC格子中での量子拡散とμ^+SR
- 6a-B-12 InSbのn-channel MOS反転層のサブバンド構造