Sasakura Hiroshi | Department of Electronics, Faculty of Engineering, Tottori University, Koyama, Tottori 680
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概要
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- Department of Electronics, Faculty of Engineering, Tottori University, Koyama, Tottori 680の論文著者
論文 | ランダム
- 磁性体中のスピンの量子ネマティック状態(最近の研究から)
- 巨大磁気抵抗効果(GMR)からトンネル磁気抵抗効果(TMR)へ
- 近藤効果の系譜 : 重い電子系と量子ドット
- スピンMOSトランジスタの開発 : スピンMOSトランジスタの総合基本動作を実証(ニュース解説)
- X線発光分光法による200GPaまでのMg-ペロブスカイト中の3価鉄のスピン状態