Fonstad Clifton | Department of Electrical Engineering and Computer Science, Massachusetts Institute of Technology,

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概要

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• Department of Electrical Engineering and Computer Science, Massachusetts Institute of Technology,の論文著者

論文 | ランダム

• 30aVL-5 過剰ドープBi-2212の磁場中c軸抵抗率(30aVL 高温超伝導3(輸送現象・光学応答など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 28aVL-9 Pb置換Bi2201の磁場中STM/STS(28aVL 高温超伝導2(光電子分光・トンネル分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27pPSA-50 (Pr_Gd_y)_Ca_xCoO_3の金属・絶縁体転移への磁場効果(27pPSA 領域8ポスターセッション(低温I(Cu,Mn,Co,Ru,V酸化物)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 21pYE-1 アモルファスMoGe膜における駆動された磁束格子の結晶方位転移III(21pYE 超伝導/量子乱流・渦,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 20pYB-6 柱状欠陥を持つ超伝導体の渦糸状態(20pYB 領域6,領域3,領域8合同シンポジウム:ボースグラスの物理,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))

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