Kurishima Kenji | NTT LSI Laboratories, 3-1, Morinosato Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa 243-01, Japan

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NTT LSI Laboratories, 3-1, Morinosato Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa 243-01, Japan | 論文

• Heavily Carbon Doped Base InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistors Grown by Two-Step Metalorganic Chemical Vapor Deposition

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