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山崎 喜三郎 | 山之内製薬株式会社開発研究所応用理学部門
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回転温度差法によるInGaAsバルク結晶成長 : 融液成長(一般)I
温度差法によるInGaAs結晶成長と溶液対流の数値解析 : 融液成長(一般)I
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InSb結晶上へのInGaSbBiバルク混晶成長(第1報)
InGaAsSb四元混晶半導体のバルク結晶成長 : 融液成長IV
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