利部 一朗 | 編集部の手違いのため発表のおそくなつたことをお詑びします。
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概要
論文 | ランダム
- 3族窒化物/SiCヘテロ界面を用いたワイドギャップ半導体デバイス (特集 新ヘテロ界面の実現に向けた半導体結晶成長技術の進展)
- n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- サブナノ領域の金属クラスターの精密かつ系統的な合成と触媒機能の解明
- 大型家畜が拓く里山環境再生手法の試み
- n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)