IIDA Kiyoto | IC. Division, Nippon Electric Co., Ltd.
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概要
論文 | ランダム
- 30a-P-2 GaAs(n11)A(n=1, 2, 3, 4)基板を用いたMBE成長SiドープGaAs膜のAs圧依存性
- 29p-Q-7 低抵抗p型ZnO創製のための同時ドーピング法
- 28p-D-7 マイクロ波放電を用いた大口径均一プラズマの生成
- 30a-ZA-5 CuInS_2におけるNa添加効果
- 30a-ZA-4 カルコパイライト型CuInS_2薄膜の電子構造