KIM Ihn | College of Electronics & Information, KyungHee University
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概要
論文 | ランダム
- シリコンカーバイドパワーMOSFETs
- 23pZN-3 Si熱酸化における応力の影響 : 酸化速度の応力依存性
- 23pZN-2 Si熱酸化による界面でのSi原子放出の理論約検討
- 28a-P2-3 表面熱酸化及び表面水素終端したSi電子ドットからのフォトルミネッセンス
- 29p-ZS-16 RHEED-AES法によるSi(001)表面の熱酸化過程の「その場」観察