NAKAMINE Hirokazu | Division of Pathology and Immunology, Kansai University for Medical Science
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概要
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論文 | ランダム
- GaNおよびAlGaN表面の窒素空乏と接合特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- GaNおよびAlGaNの表面評価と絶縁ゲート構造(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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