片浦 弘道 | 産総研ナノシステム:JST-CREST
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概要
産総研ナノシステム:JST-CREST | 論文
- 26aRL-1 Kドープ・ピセン結晶の電子状態の第一原理計算(26aRL 分子性固体・中性-イオン性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aTE-5 ワニエ関数表現に基づいたトポロジカル絶縁体の第一原理計算(28aTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 26aTJ-3 様々な濃度のKドープピセンの第一原理的電子状態と構造最適化(26aTJ 分子性固体・高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aYC-3 κ-(BEDT-TTF)_2Xの第一原理有効模型の数値解析(κ型,輸送測定,中性-イオン性転移,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aVL-5 電子相関と乱れの共存から生じるソフトハバードギャップ(27aVL 銅酸化物など(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))