NISIZIMA Kunisuke | Department of Mathematical Sciences, Faculty of Engineering Osaka University
スポンサーリンク
概要
論文 | ランダム
- リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- SiC半導体の結晶成長と素子技術の現状と展望
- SiCへの高エネルギーAl, Bイオン注入による深い接合の形成
- Sic エピタキシャル結晶の表面ステップ構造