ROYCHOWDHURY V. | Dept. of Elect. Engr., University of California

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概要

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論文 | ランダム

• New Guidelines of Optimizing SALICIDE Structure for High Speed CMOS LSI
• Improved Ti SALICIDE Technology Using High Dose Ge Pre-Amorphization for 0.10um CMOS and Beyond
• 音声規則合成のためのニューラルネットワークを用いたVCV素片の生成
• 29a-H-5 TiシリサイドpMOSFET特性における高温活性化RTAの効果
• 29a-H-4 SiNゲート側壁形成プロセスによるsub-0.25 μm pMOSFETの寄生抵抗増大 : 2:extension領域抵抗の改善

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