YABUUCHI Masahiko | Diagnostic Agent Development Office, Nippon Kayaku Co.
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概要
論文 | ランダム
- GaAsの気相成長(1) : 半導体 : 気相成長
- GaAs-Geヘテロ接合の電気的特性I : 半導体 : ダイオード
- 新しい材料表面・界面評価法--同軸型直衝突イオン散乱分光法(CAICISS) (第28回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- GeI_4を用いたGeの気相成長 : 半導体(エピタキシー)
- 14p-A-4 Molten Diffused Processの解析 II