HASEGAWA Hajime | Kimitsu R&D Laboratory, Technical Development Bureau, Nippon Steel Corporation
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概要
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論文 | ランダム
- 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価 (電子部品・材料)
- 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性 (電子部品・材料)
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