Horiuchi Atsushi | Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete) 34, Miyukigaoka, Tsukuba, Ibaraki 305-8501, Japan

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Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete) 34, Miyukigaoka, Tsukuba, Ibaraki 305-8501, Japan | 論文

• Effect of Hf Sources, Oxidizing Agents, and NH3/Ar Plasma on the Properties of HfAlOx Films Prepared by Atomic Layer Deposition

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