PLUMB John | Department of Electrical Engineering, University of Connecticut
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概要
論文 | ランダム
- 29a-ZM-6 動的エリプソメトリ法によるInGaAs/InP系MOVPE成長のヘテロ界面急峻性の改善
- 28p-ZM-1 面積選択MOVPE成長のプロセスシミュレーション
- 28p-M-17 FT-IRを用いたMOVPE原料ガス熱分解速度の測定(2)
- 28p-M-15 動的エリプソメトリ法によるMOVPE成長層表面のAs-P置換のその場観察
- 26p-N-14 F-doped SiO_2膜の低誘電率化メカニズム