He Kaiyuan | Dept. of Materials Science & Eng., Northeastern University
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概要
論文 | ランダム
- 23aHW-9 InGaAs量子井戸におけるスピン軌道相互作用最小点での弱局在/反局在とスピン干渉効果(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aHW-8 InGaAs量子井戸におけるラシュバスピン軌道相互作用が大きい領域での反局在解析(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aHW-7 古典ビリヤードシミュレーションによる正方形ループ配列構造におけるジェネリックなスピン干渉パターン(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aHW-6 ミュオニウムスピン交換法による半導体(Si,GaAs)中の伝導電子スピン偏極測定(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aHW-5 InGaAs 2次元電子系のミリ波サイクロトロン共鳴II(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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