BONFANTE E. | Department of Prosthodontics, Integrated Center for Research, Bauru School of Dentistry, University of Sao Paulo
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概要
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論文 | ランダム
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- 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯InGaAsP DFBレーザの100℃,10Gb/s動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
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- 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯直接変調DFBレーザ(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 13-2 秋田大学工学資源学部の入試問題の検討・報告