槙 孝一郎 | 住友金属鉱山(株)
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概要
論文 | ランダム
- Simulation of Retention Characteristics in Double-Gate Structure Multi-bit SONOS Flash Memory(Session4A: Nonvolatile Memory)
- Simulation of Retention Characteristics in Double-Gate Structure Multi-bit SONOS Flash Memory(Session4A: Nonvolatile Memory)
- Improving the Cell Characteristics Using SiN Liner at Active Edge in 4G NAND Flash
- Establishing read operation bias schemes for 3-D pillar-structure flash memory devices to overcome paired cell interference (PCI) (Electron devices: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Establishing read operation bias schemes for 3-D pillar-structure flash memory devices to overcome paired cell interference (PCI) (Silicon devices and materials: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))