JONES David | the Department of Electrical Engineering and Computer Science, Research Laboratory of Electronics, Massachusetts Institute of Technology
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概要
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- 同名の論文著者
- the Department of Electrical Engineering and Computer Science, Research Laboratory of Electronics, Massachusetts Institute of Technologyの論文著者
論文 | ランダム
- (100)及び(110)基板上のeSiGeによる歪みSiチャネルを有するMetal/High-k Gate Stack MOSFETのデバイス特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 専業 武田薬品工業/アステラス製薬/第一三共/エーザイ/中外製薬/田辺三菱製薬/大日本住友製薬/大正製薬/塩野義製薬/小野薬品工業/みらかホールディングス/久光製薬/ロート製薬/参天製薬/ツムラ/キョーリン/科研製薬/持田製薬/キッセイ薬品工業/日本新薬/ゼリア新薬工業/扶桑薬品工業/鳥居薬品/エスエス製薬/沢井製薬/日医工/東和薬品/あすか製薬/生化学工業/富山化学工業/栄研化学/日本ケミファ/日水製薬/富士製薬工業/日本ケミカルリサーチ/わかもと製薬/大塚製薬/テルモ (2007年度・企業別決算分析)
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発
- チャネル方向と構造起因歪みの組み合わせを用いた45nm世代のための高移動度CMOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))