Lan Wen-How | Material R&D Center, Chung Shun Institute of Science and Technology
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概要
論文 | ランダム
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- Effects of rf Power and Substrate Temperature on Properties of a-SiN_x:H Films Prepared by Glow-Discharge of SiH_4-N_2-H_2
- Plasma-Enhanced Deposition of Silicon Nitride from SiH_4-N_2 Mixture
- Properties of Amorphous Films Prepared from SiH_4-N_2-H_2 Gas Mixture