Becker Heinrich | Thorax Klinik, Heidelberg
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概要
論文 | ランダム
- lnGaAsフォトダイオードの220MeV炭素イオン照射損傷
- On the radiation damages and their recovery in Si1-XGeX devices
- Recovery enhancement of hFE due to pulse aging for electron-irradiated npn Si transistor
- Siトランジスタにおける電子線損傷の回復機構
- 電子線照射NPH Siトランジスタの深い準位と焼鈍特性