IMAI Makoto | S&S Architecture Center, Sony Corporation

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論文 | ランダム

• p型GaNの低温活性化とそのメカニズム(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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• トライボロジー四方山ばなし(9)ころがり摩擦について
• ころがり摩擦抵抗の寸法効果
• ころがり摩擦と転位

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