AZUMA Masaaki | Graduate School of Science and Technology, Tokyo Institute of Technology:(Present address)Japan Patent Office
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概要
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- Graduate School of Science and Technology, Tokyo Institute of Technology:(Present address)Japan Patent Officeの論文著者
論文 | ランダム
- 19pPSA-14 時間分解光電子分光によるp-type Si(111)表面の高速現象(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 25aZR-1 SmB_6のレーザー及び軟X線光電子分光(25aZR 近藤半導体,価数揺動等,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pZR-18 VO_2薄膜の硬X線光電子分光(23pZR V系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aQE-1 共鳴光電子分光によるマグネリ相化合物の電子状態研究(26aQE 光電子分光・逆光電子分光・放射光真空紫外分光,領域5(光物性))
- 26aQE-7 価数揺動系Yb化合物の電子状態の研究2(26aQE 光電子分光・逆光電子分光・放射光真空紫外分光,領域5(光物性))