Noda Shoji | Association of Super-Advanced Electronics Technologies (ASET):(Present address)VLSI R&D Center, Oki Electric Industry Co., Ltd.
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概要
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- Association of Super-Advanced Electronics Technologies (ASET):(Present address)VLSI R&D Center, Oki Electric Industry Co., Ltd.の論文著者
論文 | ランダム
- 21aGT-10 強磁場領域における有機ディラック電子系の面内磁気抵抗の理論(21aGT 単一分子金属・金属錯体・Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aGT-9 分子性導体α-(BEDT-TTF)_2I_3の抵抗率テンソルの非対角成分測定(21aGT 単一分子金属・金属錯体・Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aGT-8 層平行磁場下におけるα-(BEDT-TTF)_2I_3の層間磁気抵抗(21aGT 単一分子金属・金属錯体・Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aGT-7 分子性ディラック電子系における層間と層内磁気抵抗効果(21aGT 単一分子金属・金属錯体・Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aGT-5 梯子型塩素架橋白金錯体における超高速時間分解発光(21aGT 単一分子金属・金属錯体・Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))